Главная » 2018 » Сентябрь » 4 » Snapdragon 855 со сверхбыстрым двухгигабитным модемом
16:47
Snapdragon 855 со сверхбыстрым двухгигабитным модемом

Snapdragon 855 - предварительный обзор

До всемирной выставки Mobile World Congress 2018 осталось всего ничего, однако компания Qualcomm решила ее не дожидаться и, так сказать, задать жару! Ведущий мировой чипмейкер анонсировал самый быстрый модем для мобильных устройств под названием Snapdragon X24 LTE. Он оказался представителем уже третьего поколения Gigabit LTE и может похвастаться очень интересной особенностью. Как сообщается, модем сможет обеспечивать скорость загрузку данных посредством LTE-сетей до 2 Гбит/с и это в то время, как его предшественник может похвастаться скоростью всего лишь до 1,2 Гбит/с. Но самое интересное в другом - новенький LTE-модем Snapdragon X24 станет фишкой будущих чипсетов, производимых по сверхтонкому технологическому процессу в 7 нанометров. Ожидается, что Snapdragon X24 впервые дебютирует в топовом процессоре Snapdragon 855, который должны анонсировать в конце 2018 - начале 2019 года.

Стоит отметить, что Snapdragon X24 LTE сможет работать в сетях LTE Cat.20. Естественно, сегодня ни один смартфон не может обеспечить даже доступную скорость в 1,2 Гбит/с, однако это вовсе не вина Qualcomm, ведь чипмейкер все делает исправно. Проблема в самих сотовых операторах, которые не могут обеспечить максимальные скорости из-за ряда причин. Что касается скорости загрузки данных до 2 Гбит/с, то ее мы сможем наблюдать, скорее всего, только после начала развертывания операторами сетей 5-го поколения. Сегодня же средняя скорость работы в 4G LTE-сетях в мире не превышает 20 Мбит/с.

Напомним, что декабрьская новинка Snapdragon 845, которая ляжет в основу новых Galaxy S9 и S9 Plus, а также большинства других топовых устройств 2018 года, выполнена по нормам 10-нм техпроцесса под названием Low Power Plus. Компания Samsung уверяет, что новый техпроцесс превосходит предыдущий 10-нм в Snapdragon 835  Low Power Early на 10% по производительности и 15% по энергопотреблению. То есть, один и тот же технологический процесс, но доработанный и доведенный до ума может обеспечить неплохой такой прирост по мощности / энергоэффективности. Это дает все основания полагать, что благодаря 7-нм Snapdragon 855 и вовсе сможет обойти Snapdragon 845 по этим двум основным показателям на 40-50%.

Нынешний топ Snapdragon 845 появился в начале декабря 2017 года, а дебютирует он впервые в смартфонах Galaxy S9 и S9 Plus, которые будут анонсированы на мероприятии MWC 2018 в Барселоне. Соответственно, ждать выхода Snapdragon 855 стоит не ранее того же декабря нынешнего года или начала января 2019 года.

Категория: Технологии | Просмотров: 7 | Добавил: grot789 | Теги: двухгигабитным, Snapdragon, сверхбыстрым, модемом | Рейтинг: 5.0/1
Всего комментариев: 0
avatar

Расскажи друзьям интересные новости:


Установить на свой сайт!