Главная » 2015 » Апрель » 19 » Новая флеш-память 3D NAND от Micron и Intel
13:53
Новая флеш-память 3D NAND от Micron и Intel

Новая флеш-память 3D NAND от Micron и Intel

Компании MicronTechnology, Inc. и Intel объявили о доступности технологии 3D NAND, которая позволяет создавать флеш-память с самым высоким в мире уровнем плотности размещения ячеек хранения данных.

Флеш-память используется в самых легких ноутбуках, самых быстрых центрах обработки данных и практически в каждом сотовом телефоне, планшете и мобильном устройстве. Новая технология 3D NAND, совместно разработанная Intel и Micron, с высочайшей точностью размещает слои ячеек для создания накопителей, которые будут иметь в 3 раза большую емкость по сравнению с устройствами на базе технологии NAND.

Это позволяет хранить больше данных при более компактных размерах микросхем, что дает возможность снизить энергопотребление и повысить производительность памяти как для потребительских мобильных устройств, так и для ресурсоемких корпоративных сред.

Планарная флеш-память NAND практически уже достигла максимальных возможностей для масштабирования, что создает значительные сложности для отрасли производства памяти. Технология 3D NAND позволит флеш-продукции развиваться в соответствии с законом Мура, что даст возможность на протяжении длительного времени увеличивать ее скорость работы, сокращать расходы и более широкого использовать флеш-память.

Читать далее

Newsland.ru

Категория: Технологии | Просмотров: 463 | Добавил: grot789 | Теги: флеш-память, новая, Micron, NAND, Intel | Рейтинг: 5.0/1
Всего комментариев: 0
avatar

Расскажи друзьям интересные новости:


Установить на свой сайт!